| M2 | 松尾 航平 | 有機分子を吸着したSi及びSiC表面の電子状態抽出に関する研究 |
| M2 | 山﨑 誉之 | イオンビーム照射によるSiC基板上のグラフェン形成初期過程に関する研究 |
| M2 | 梅田 恭誠 | 炭素材料表面上に吸着した有機分子の電子状態解析 |
| M2 | 倉橋 渉太 | 走査トンネル顕微鏡を用いたSi表面上の銅フタロシアニン薄膜形成初期過程に関する研究 |
| M2 | 縄田 悠人 | メタンプラズマCVD法を用いたSi基板上のダイヤモンド薄膜合成に関する研究 |
| M2 | 濱田 聖 | SiC表面分解法における熱処理時間とFe蒸着がカーボンナノチューブ成長に与える影響 |
| M2 | 元川 陽介 | イオンビーム照射したSiC基板上のグラフェン形成初期過程に関する研究 |
| B4 | 徳永 浩之 | 格子状ターゲットを用いたプラズマ浸漬イオンスパッタ法によるAl薄膜の合成 |
| B4 | 船曳 諒 | SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成制御に関する研究 |
| B4 | 佐々木 徹 | DCメタンプラズマCVD法によるSi基板上に形成されるダイヤモンド粒子の形態観察 |
| B4 | 滝川 塁 | 走査トンネル顕微鏡を用いた半導体表面上における銅フタロシアニン薄膜形成に関する研究 |
| B4 | 山田 雄也 | SiC表面分解法による6H-SiC(0001)基板上のグラフェン形成初期過程に関する研究 |