| M2 | 後藤 弘樹 | 銅酸化物超伝導体Y0.98Ca0.02Ba2Cu4O8に対する一軸性圧縮効果に関する研究 |
| M2 | 菅 祐志 | 鉛直柱状プラズマ法によるSi(100)上ナノダイヤモンドの合成 |
| M2 | 髙松 草平 | イオンビームを用いたSiC表面上の高機能カーボンナノチューブ生成 |
| M2 | 冨田 哲朗 | 真空噴霧法により金属基板上に吸着した蛍光蛋白質の原子スケール解析 |
| M2 | 新納 健 | 二次元反強磁性体La2CuO4のナノスケール磁性体におけるエッジ効果 |
| M2 | 早久 和希 | SOI基板上のグラフェン形成メカニズムの解明 |
| B4 | 高城 真矢 | イオンビームを用いた高機能カーボンナノチューブ生成に関する研究 |
| B4 | 田久呂 遊 | イオンビーム照射法によるＳＯＩ基板上のグラフェン形成機構の解明 |
| B4 | 永井 亮輔 | 鉛直柱状メタンプラズマ法による高温Si(100)基板上ダイヤモンド薄膜の形成 |
| B4 | 内田 真仁 | イオンビームを用いたSiC表面分解法による高機能カーボンナノチューブ生成制御に関する研究 |
| B4 | 宮脇 泰裕 | ＳＯＩ基板上のグラフェン形成過程に関する研究 |