| M2 | 嶋貫 政人 | CVD法を用いて生成したカーボンナノチューブの電界電子放出特性に関する研究 |
| M2 | 田中 圭介 | 走査トンネル顕微鏡を用いたシリコンカーバイド表面上での有機分子吸着・脱離に関する研究 |
| M2 | 中野 誠 | 表面分解法におけるSiC表面上でのカーボンナノチューブ成長制御に関する研究 |
| M2 | 塗木 貴彦 | マイコンによるイオン散乱分光測定システムの改良及び金属・半導体表面構造に関する研究 |
| M2 | 松本 康伸 | CVD法によるポリイミド基板上へのカーボンナノチューブ形成に関する研究 |
| M2 | 吉岩 由人 | 走査トンネル顕微鏡を用いた一次元原子鎖形成シリコン表面上での有機分子誘起構造変化に関する研究 |
| M2 | 米久保喜彦 | SiC表面分解法を用いた自己組織的カーボンナノチューブ形成に関する研究 |
| B4 | 上野 雅樹 | CVD法により作製されたカーボンナノチューブの電界電子放出特性の評価 |
| B4 | 古賀 光 | CVD法によるFe及びCo金属触媒を用いたガラス基板上へのカーボンナノチューブ形成 |
| B4 | 小島 健志 | 表面分解法によるSiC(000-1)C面上でのカーボンナノチューブ形成に関する研究 |
| B4 | 重枝 大貴 | 走査トンネル顕微鏡よるSiC表面上での有機分子吸着過程に関する研究 |
| B4 | 清水 透 | TOF‐ICISSにおける測定制御システムの改良及び半導体表面構造解析 |
| B4 | 田中 繁文 | STMによるBiナノワイヤ形成Si(100)表面へのコバルトフタロシアニン吸着過程に関する研究 |
| B4 | 永松 謙佑 | 表面分解法におけるSiC表面でのカーボンナノチューブの形成に関する研究 |