卒業生と卒論・修論内容
M2 今浪 聡史 SiC表面分解法におけるグラフェン形成初期過程に関する研究
B4 荒 海成 Si表面上に形成されたCuPc薄膜の走査トンネル顕微鏡観察
B4 岩崎 智也 イオンビーム照射によるSiC基板上のグラフェン形成に関する研究
B4 田中 遼也 表面分解法を用いたSiC基板上カーボンナノチューブ成長に関する影響
B4 藤山 拓己 プラズマ浸漬格子状ターゲット法を用いた超撥水アルミニウム薄膜作製に関する研究
B4 宗岡 絢太 プラズマ浸漬格子状ターゲット法による表面改質に関する研究
B4 横田 工 Si蒸着を用いたSiC(0001)表面上グラフェン形成の原子スケール解析
R01年度