卒業生と卒論・修論内容
M2 神原 健郎 SiC表面分解法を用いたカーボンナノチューブの生成条件に関する研究
M2 小林 友樹 DCメタンプラズマを用いたナノダイヤモンド合成におけるシースの効果
B4 井上 雄介 イオンビーム照射を援用したSiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成に関する研究
B4 今浪 聡史 イオンビーム照射によるSiC(0001)表面上のグラフェン形成に関する研究
B4 原 拓海 走査トンネル顕微鏡を用いたSi基板上への有機分子吸着に関する研究
B4 前田 高史 SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における加熱条件に関する研究
H29年度