卒業生と卒論・修論内容
M2 内田 和希 DCメタンプラズマCVD法によるSi基板上ナノダイヤモンド薄膜の合成
M2 内田 真仁 シリコン表面上に吸着した銅フタロシアニン薄膜の構造解析
M2 尾山 貴大 表面変性効果による高機能カーボンナノチューブ生成制御に関する研究
M2 宮脇 泰裕 SiC表面分解法によるグラフェン生成に関する研究
B4 大橋 星希 表面分解法によるSiC表面でのカーボンナノチューブ成長に関する研究
B4 倉橋 渉太 走査トンネル顕微鏡による半導体表面上に吸着したCuPc薄膜の構造解析
B4 縄田 悠人 DCメタンプラズマCVD法によるナノダイヤモンド薄膜合成
B4 元川 陽介 走査トンネル顕微鏡によるSiC基板上のグラフェン生成過程に関する研究
B4 山崎 謙 シリコンカーバイド表面上のカーボンナノチューブ成長に関する研究
H28年度