| M2 | 金子 福利 | 半導体表面上に吸着した銅フタロシアニン薄膜の電子状態及び構造解析 |
| M2 | 首藤 大輝 | 柱状プラズマCVD法によるSi基板上ナノダイヤモンド薄膜の合成 |
| M2 | 曽我 京平 | SiC表面分解法における高機能カーボンナノチューブ生成制御に関する研究 |
| M2 | 坪井 直也 | イオンビーム照射を用いたSOI基板上グラフェン生成過程に関する研究 |
| B4 | 副 法子 | 柱状プラズマCVD法によるナノダイヤモンド薄膜合成におけるプラズマ分析 |
| B4 | 久松 直貴 | 脳型処理のためのナノ構造の単電子回路シミュレーション |
| B4 | 森 修一朗 | イオンビームエネルギーのカーボンナノチューブ生成に与える影響に関する研究 |
| B4 | 山崎 誉之 | 3C-SiC(111)表面上グラフェン形成におけるイオンビーム照射の影響に関する研究 |
| B4 | 山本 裕貴 | イオンビーム照射量のカーボンナノチューブ生成に与える影響に関する研究 |