卒業生と卒論・修論内容
M2 内田健太郎 SOI基板を用いたグラフェン形成に関する研究
M2 大久保雄平 CH4/Ar混合ガスプラズマCVD法による球状炭素粒子の成長制御と微細構造解析
M2 竹堂 公貴 SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成に及ぼすイオンビーム照射効果と熱処理条件に関する研究
B4 飯倉 泰成 メタン・アルゴン混合ガスプラズマを用いた球状炭素粒子成長に関する研究
B4 坂本  健 SiC薄膜のグラフェン化におけるイオンビーム照射効果に関する研究
B4 松田 聖也 SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ形成過程での二酸化炭素導入に関する研究
B4 村山 賢次 SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ成長におけるイオンビーム照射と二酸化炭素の影響に関する研究
H24年度