卒業生と卒論・修論内容
M2 植田 謙介 熱CVD法によるガラス及びSi基板上へのカーボンナノチューブ成長に関する研究
M2 大櫨 浩司 SiC表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ生成制御に関する研究
M2 尾上 雅俊 低温低圧柱状メタンプラズマによる球状粒子成長とその微細構造解析
M2 佐々木悠祐 Si基板上に成長させた3C-SiC薄膜のグラフェン化に関する研究
M2 宮崎 弘朗 Si(100)表面上に形成された一次元原子鎖へのフラーレン吸着に関する研究
B4 枝元 太希 走査トンネル顕微鏡による3C-SiC(111)表面上のグラフェン生成に関する研究
B4 梶原 孝一 走査トンネル顕微鏡によるSi(100)表面上への金属フタロシアニン分子の吸着・脱離に関する研究
B4 齋藤 美咲 イオンビーム照射によるSiC表面でのカーボンナノチューブ生成に関する研究
B4 瀬尾甲太郎 CVD法によるSi基板上へのカーボンナノチューブ形成に関する研究
B4 中村 優太 CH4/Arガスプラズマによる球状炭素粒子の合成に関する研究
H23年度