卒業生と卒論・修論内容
M2 古賀  光 化学気相成長法によるカーボンナノチューブ形成におけるバッファ層の影響に関する研究
M2 小島 健志 化学気相成長法を用いた半導体基板上へのカーボンナノチューブ形成に関する研究
M2 清水  透 走査トンネル顕微鏡を用いたシリコンカーバイド表面上のグラフェン形成過程に関する研究
M2 田中 繁文 走査トンネル顕微鏡によるシリコン表面一次元ナノ構造上のフタロシアニン吸着に関する研究
M2 永松 謙佑 SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ形成に関する研究
B4 植田 謙介 CVD法によるNi,Co触媒金属を用いたガラス基板上へのカーボンナノチューブ成長に関する研究
B4 大櫨 浩司 イオンビーム照射によるSiC表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成に関する研究
B4 佐々木悠祐 走査トンネル顕微鏡によるSiC(0001)表面上のグラフェン形成初期過程に関する研究
B4 宮崎 弘朗 Si(100)表面上のフラーレン吸着・脱離に関する走査トンネル顕微鏡研究
H21年度