卒業生と卒論・修論内容
M2 中村慎太郎 走査トンネル顕微鏡によるBiナノワイヤ形成シリコン表面上の有機分子吸着に関する研究
M2 野村 厚暢 CVD法によるカーボンナノチューブ形成と電界電子放出特性の評価に関する研究
B4 青木 一大 CVD法によるCo金属触媒を用いたポリイミド及びガラス基板上へのカーボンナノチューブ形成
B4 伊賀 俊矢 走査トンネル顕微鏡による一次元原子鎖形成Si表面上のCoPc吸着に関する研究
B4 上村 一平 CVD法を用いて生成したカーボンナノチューブの電界電子放出特性の評価
B4 辛山 慶訓 SiC表面分解法におけるカーボンナノチューブ成長に及ぼす酸素の影響に関する研究
B4 北田 祐介 走査トンネル顕微鏡によるSiC(000-1)表面のグラファイト化に関する研究
B4 佐藤 亮太 走査トンネル顕微鏡によるシリコン表面上のフラーレン吸着に関する研究
H20年度