| M2 | 伊藤 剛士 | Biナノワイヤ形成Si(100)表面における金属原子吸着・脱離過程に関する研究 |
| M2 | 小野 拓磨 | 走査トンネル顕微鏡を用いた6H-SiC(000-1)表面再構成過程の研究 |
| M2 | 児玉 諭彦 | 低速イオン散乱分光法によるSi(100)及びNi(110)表面上の金属薄膜成長の研究 |
| M2 | 田中 博史 | SiC(0001)再構成表面構造の原子スケール解析 |
| B4 | 上田 大志 | 6H-SiC(000-1)再構成表面への水素吸着過程のSTM観察 |
| B4 | 木村 圭佑 | Si(100)表面への水素吸着・脱離過程の原子スケール観察 |
| B4 | 上代 祐蔵 | STM・LEEDによる6H-SiC(0001)再構成表面構造に関する研究 |
| B4 | 中村 功 | STMによるBiナノワイヤ形成Si(100)表面へのAg原子吸着過程の研究 |
| B4 | 藤田 朋彦 | SiC表面上でのカーボンナノチューブ成長初期過程に関する研究 |
| B4 | 松島 恒幸 | イオン散乱分光法及び低速電子線回折による酸素吸着Ni(110)面の構造解析 |