卒業生と卒論・修論内容
B4 伊藤 剛士 Si(100)表面に自己組織的に誘起された一次元構造の形成メカニズムの解明
B4 越智 淳了 アンチモン単原子層吸着Si(100)表面構造のSTM研究
B4 小野 拓磨 SiC(0001)及び(000-1)表面再構成構造のSTM・LEED研究
B4 児玉 諭彦 低速イオン散乱分光法によるSi(100)上Bi多層吸着膜の構造解析
B4 堂尾 晋哉 6H-SiC(0001)グラファイト化表面の原子スケール解析
B4 茂刈 玲子 低速イオン散乱分光法によるBi/Si(100)成長初期過程の研究
H14年度